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电子元器件详细资料 » IC[18800] » FDB039N06
型号:FDB039N06类别:FET - 单制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
系列PowerTrench®
制造商Fairchild Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C120A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C3.9 毫欧 @ 75A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs133nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds8235pF @ 25V
功率_最大231W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D²PAK
包装Digi-Reel®

供应商

深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
深圳市海虹微电子有限公司赵小姐086-0755-83291010 83678410
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市鑫远鹏科技有限公司谌小姐15112667855
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
深圳市科恒伟业电子有限公司李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801
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FDB039N06相关型号

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